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2020-07-23 17:04:37
,且经过900 mA常温老化192 h后, ,研究发现, 【摘要】: 通过电镀的方法将Si衬底GaN LED薄膜分别转移至铜铬、铜镍基板上,表明在LED工作状态下铜镍基板LED芯片具有更优良的力学性能;铜镍基板LED芯片的波长漂移较铜铬基板更小,铜镍基板LED芯片较铜铬基板具有更优良的力、热、光、电特性。双面板免费加费,四层板加急打样,厚铜电路板打样